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半導體材料項目占地面積515.63畝，建筑面積378123.66平米，達到穩(wěn)定運營后，每年銷售收入穩(wěn)定在52314.14萬元人民幣左右，利潤穩(wěn)定在3227.54萬元人民幣左右。半導體材料項目總投資額為64453.54萬元，20%申請政府資金支持，80%自有資金解決，投資利潤率為-0.39%；項目投資財務內(nèi)部收益率（稅后）為0.03%，投資回收期（稅后）為3394.88年，盈虧平衡點 BEP=37.69%。

華靈四方公司專業(yè)編制半導體材料項目后評價報告、項目資金申請報告、項目申請報告，節(jié)能報告，項目建議書，可行性研究報告，效率高，價格低，歡迎來電咨詢，13911268021沈工，公司實力雄厚，為國家首批甲級資信工程咨詢單位、北京市工程咨詢協(xié)會理事單位、2021年度北京市工程咨詢協(xié)會優(yōu)秀會員單位，北京市技術(shù)轉(zhuǎn)移機構(gòu)、列入北京市節(jié)能減排及應對氣候變化中介服務機構(gòu)推薦名單（京發(fā)改[2013]666號）

項目后評價，是指在項目竣工驗收并投入使用或運營一定時間后，運用規(guī)范、科學、系統(tǒng)的評價方法與指標，將項目建成后所達到的實際效果與項目的可行性研究報告、初步設計（含概算）文件及其審批文件的主要內(nèi)容進行對比分析，找出差距及原因，總結(jié)經(jīng)驗教訓、提出相應對策
建議，并反饋到項目參與各方，形成良性項目決策機制。根據(jù)需要，可以針對項目建設（或運行）的某一問題進行專題評價，可以對同類的多個項目進行綜合性、政策性、規(guī)劃性評價。 　 　

半導體材料項目后評價報告

第一部分 半導體材料項目概況

一、半導體材料項目基本情況。對半導體材料項目建設地點、半導體材料項目業(yè)主、半導體材料項目性質(zhì)、特點（或功能定位）、半導體材料項目開工和竣工、投入運營（行）時間進行概要描述。
二、半導體材料項目決策理由與目標。概述半導體材料項目決策的依據(jù)、背景、理由和預期目標（宏觀目標和實施目標）。
三、半導體材料項目建設內(nèi)容及規(guī)模。半導體材料項目經(jīng)批準的建設內(nèi)容、建設規(guī)模（或生產(chǎn)能力），實際建成的建設規(guī)模（或生產(chǎn)能力）；半導體材料項目主要實施過程，并簡要說明變化內(nèi)容及原因；半導體材料項目經(jīng)批準的建設周期和實際建設周期。
四、半導體材料項目投資情況。半導體材料項目經(jīng)批準的投資估算、初步設計概算及調(diào)整概算、竣工決算。
五、半導體材料項目資金到位情況。半導體材料項目經(jīng)批準的資金來源，資金到位情況，竣工決算資金來源及不同來源資金所占比重。
六、半導體材料項目運營（行）及效益現(xiàn)狀。半導體材料項目運營（行）現(xiàn)狀，生產(chǎn)能力（或系統(tǒng)功能）實現(xiàn)現(xiàn)狀，半導體材料項目財務及經(jīng)濟效益現(xiàn)狀，社會效益現(xiàn)狀。
七、半導體材料項目自我總結(jié)評價報告情況及主要結(jié)論。
八、半導體材料項目后評價依據(jù)、主要內(nèi)容和基礎資料。

第二部分 半導體材料項目全過程總結(jié)與評價

第一章 半導體材料項目前期決策總結(jié)與評價
一、半導體材料項目建議書主要內(nèi)容及批復意見
二、可行性研究報告主要內(nèi)容及批復意見
（一）可行性研究報告主要內(nèi)容。主要包括半導體材料項目建設必要性、建設條件、建設規(guī)模、主要技術(shù)標準和技術(shù)方案、建設工期、總投資及資金籌措，以及環(huán)境影響評價、經(jīng)濟評價、社會穩(wěn)定風險評估等專項評價主要結(jié)論等內(nèi)容。
（二）可行性研究報告批復意見。包括半導體材料項目建設必要性、建設規(guī)模及主要建設內(nèi)容、建設工期、總投資及資金籌措等內(nèi)容。
（三）可行性研究報告和半導體材料項目建議書主要變化。對可行性研究報告和半導體材料項目建議書主要內(nèi)容進行對比，并對主要變化原因進行簡要分析。
三、半導體材料項目初步設計（含概算）主要內(nèi)容及批復意見（大型半導體材料項目應在初步設計前增加總體設計階段）。主要包括：工程特點、工程規(guī)模、主要技術(shù)標準、主要技術(shù)方案、初步設計批復意見。
四、半導體材料項目前期決策評價。主要包括半導體材料項目審批依據(jù)是否充分，是否依法履行了審批程序，是否依法附具了土地、環(huán)評、規(guī)劃等相關手續(xù)。

第二章 半導體材料項目建設準備、實施總結(jié)與評價
一、 半導體材料項目實施準備
（一）半導體材料項目實施準備組織管理及其評價。組織形式及機構(gòu)設置，管理制度的建立，勘察設計、咨詢、強審等建設參與方的引入方式及程序，各參與方資質(zhì)及工作職責情況。
（二）半導體材料項目施工圖設計情況。施工圖設計的主要內(nèi)容，以及施工圖設計審查意見執(zhí)行情況。
（三）各階段與可行性研究報告相比主要變化及原因分析。根據(jù)半導體材料項目設計完成情況，可以選取包括初步設計（大型半導體材料項目應在初步設計前增加總體設計階段）、施工圖設計等各設計階段與可行性研究報告相比的主要變化，并進行主要原因分析。
對比的內(nèi)容主要包括：工程規(guī)模、主要技術(shù)標準、主要技術(shù)方案及運營管理方案、工程投資、建設工期。
（四）半導體材料項目勘察設計工作評價。主要包括：勘察設計單位及工作內(nèi)容，勘察設計單位的資質(zhì)等級是否符合國家有關規(guī)定的評價，勘察設計工作成果內(nèi)容、深度全面性及合理性評價，以及相關審批程序符合國家及地方有關規(guī)定的評價。
（五）征地拆遷工作情況及評價
（六）半導體材料項目招投標工作情況及評價
（七）半導體材料項目資金落實情況及其評價。
（八）半導體材料項目開工程序執(zhí)行情況。主要包括開工手續(xù)落實情況，實際開工時間，存在問題及其評價。
二、半導體材料項目實施組織與管理
（一）半導體材料項目管理組織機構(gòu)（半導體材料項目法人、指揮部）。
（二）半導體材料項目的管理模式（法人直管、總承包、代建、BOT等）。
（三）參與單位的名稱及組織機構(gòu)(設計、施工、監(jiān)理、其它)。
（四）管理制度的制定及運行情況（管理制度的細目、重要的管理活動、管理活動的績效）。
（五）對半導體材料項目組織與管理的評價（針對半導體材料項目的特點分別對管理主體及組織機構(gòu)的適宜性、管理有效性、管理模式合理性、管理制度的完備性以及管理效率進行評價）。
三、合同執(zhí)行與管理
（一）半導體材料項目合同清單（包括正式合同及其附件并進行合同的分類、分級）。
（二）主要合同的執(zhí)行情況。
（三）合同重大變更、違約情況及原因。
（四）合同管理的評價。
四、信息管理
（一）信息管理的機制。
（二）信息管理的制度。
（三）信息管理系統(tǒng)的運行情況。
（四）信息管理的評價。
五、控制管理
（一）進度控制管理。
（二）質(zhì)量控制管理。
（三）投資控制管理。
（四）安全、衛(wèi)生、環(huán)保管理。
六、重大變更設計情況。
七、資金使用管理。
八、工程監(jiān)理情況。
九、新技術(shù)、新工藝、新材料、新設備的運用情況。
十、竣工驗收情況。
十一、半導體材料項目試運營（行）情況
（一）生產(chǎn)準備情況。
（二）試運營（行）情況。
十二、工程檔案管理情況。

第三章 半導體材料項目運營（行）總結(jié)與評價
一、半導體材料項目運營（行）概況
（一）運營（行）期限。半導體材料項目運營（行）考核期的時間跨度和起始時刻的界定。
（二）運營（行）效果。半導體材料項目投產(chǎn)（或運營）后，產(chǎn)品的產(chǎn)量、種類和質(zhì)量（或服務的規(guī)模和服務水平）情況及其增長規(guī)律。
（三）運營（行）水平。半導體材料項目投產(chǎn)（或運營）后，各分半導體材料項目、子系統(tǒng)的運轉(zhuǎn)是否達到預期的設計標準；各子系統(tǒng)、分半導體材料項目、生產(chǎn)（或服務）各環(huán)節(jié)間的合作、配合是否和諧、正常。
（四）技術(shù)及管理水平。半導體材料項目在運營（行）期間的表現(xiàn)，反映出半導體材料項目主體處于什么技術(shù)水平和管理水平（世界、國內(nèi)、行業(yè)內(nèi)）。
（五）產(chǎn)品營銷及占有市場情況。描述產(chǎn)品投產(chǎn)后，銷售現(xiàn)狀、市場認可度及占有市場分額情況。
（六）運營（行）中存在的問題
1、生產(chǎn)半導體材料項目的總平面布置、工藝流程及主要生產(chǎn)設施（服務類半導體材料項目的總體規(guī)模、主要子系統(tǒng)的選擇、設計和建設）是否存在問題，屬什么性質(zhì)的問題。
2、半導體材料項目的配套工程及輔助設施的建設是否必要和適宜。配套工程及輔助設施的建設有無延誤，原因是什么，產(chǎn)生什么負作用。
二、半導體材料項目運營（行）狀況評價
（一）半導體材料項目能力評價。半導體材料項目是否具備預期功能，達到預定的產(chǎn)量、質(zhì)量（服務規(guī)模、服務水平）。如未達到，差距多大。
（二）運營（行）現(xiàn)狀評價。半導體材料項目投產(chǎn)（或運營）后，產(chǎn)品的產(chǎn)量、種類和質(zhì)量（或服務的規(guī)模和服務水平）與預期存在的差異，產(chǎn)生上述差異的原因分析。
（三）達到預期目標可能性分析。半導體材料項目投產(chǎn)（或運營）后，產(chǎn)品的產(chǎn)量、種類和質(zhì)量（或服務的規(guī)模和服務水平）增長規(guī)律總結(jié)，半導體材料項目可達到預期目標的可能性分析。

第三部分 半導體材料項目效果和效益評價

第一章 半導體材料項目技術(shù)水平評價
一、半導體材料項目技術(shù)效果評價。主要內(nèi)容包括：
（一）技術(shù)水平。半導體材料項目的技術(shù)前瞻性，是否達到了國內(nèi)（國際）先進水平。
（二）產(chǎn)業(yè)政策。是否符合國家產(chǎn)業(yè)政策。
（三）節(jié)能環(huán)保。節(jié)能環(huán)保措施是否落實，相關指標是否達標，是否達到國內(nèi)（國際）先進水平。
（四）設計能力。是否達到了設計能力，運營（行）后是否達到了預期效果。
（五）設備、工藝、功能及輔助配套水平。是否滿足運營（行）、生產(chǎn)需要。
（六）設計方案、設備選擇是否符合我國國情（包括技術(shù)發(fā)展方向、技術(shù)水平和管理水平）
二、半導體材料項目技術(shù)標準評價。主要內(nèi)容包括：
（一）采用的技術(shù)標準是否滿足國家或行業(yè)標準的要求。
（二）采用的技術(shù)標準是否與可研批復的標準吻合。
（三）工藝技術(shù)、設備參數(shù)是否先進、合理、適用，符合國情。
（四）對采用的新技術(shù)、新工藝、新材料的先進性、經(jīng)濟性、安全性和可靠性進行評價。
（五）工藝流程、運營（行）管理模式等是否滿足實際要求。
（六）半導體材料項目采取的技術(shù)措施在本工程的適應性。
三、半導體材料項目技術(shù)方案評價。主要內(nèi)容包括：
（一）設計指導思想是否先進，是否進行多方案比選后選擇了最優(yōu)方案。
（二）是否符合各階段批復意見。
（三）技術(shù)方案是否經(jīng)濟合理、可操作性強。
（四）設備配備、工藝、功能布局等是否滿足運營、生產(chǎn)需求。
（五）輔助配套設施是否齊全。
（六）運營（行）主要技術(shù)指標對比。
四、技術(shù)創(chuàng)新評價。主要內(nèi)容包括：
（一）半導體材料項目的科研、獲獎情況。
（二）本半導體材料項目的技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)生的社會經(jīng)濟效益評價。
（三）技術(shù)創(chuàng)新在國內(nèi)、國際的領先水平評價。
（四）分析技術(shù)創(chuàng)新的適應性及對工程質(zhì)量、投資、進度等產(chǎn)生的影響等。
（五）對新技術(shù)是否在同行業(yè)等相關領域具有可推廣性進行評價。
（六）新技術(shù)、新工藝、新材料、新設備的使用效果，以及對技術(shù)進步的影響。
（七）半導體材料項目取得的知識產(chǎn)權(quán)情況。
（八）半導體材料項目團隊建設及人才培養(yǎng)情況。
五、設備國產(chǎn)化評價（主要適用于軌道交通等國家特定要求半導體材料項目）。主要內(nèi)容包括：
（一）所選用的設備國產(chǎn)化率評價，進口設備是否可采用國產(chǎn)設備。
（二）設備采購對工程帶來的利弊評價。
（三）國產(chǎn)化設備與國外同類產(chǎn)品的技術(shù)經(jīng)濟對比分析。
（四）國產(chǎn)設備對運營、維修保養(yǎng)的影響評價。

第二章 半導體材料項目財務及經(jīng)濟效益評價
一、竣工決算與可研報告的投資對比分析評價。主要包括：分年度工程建設投資，建設期貸款利息等其他投資。
二、資金籌措與可研報告對比分析評價。主要包括：資本金比例，資本金籌措，貸款資金籌措等。
三、運營（行）收入與可研報告對比分析評價。主要包括：分年度實際收入，以后年度預測收入。
四、半導體材料項目成本與可研報告對比分析評價。主要包括：分年度運營（行）支出，以后年度預測成本。
五、財務評價與可研報告對比分析評價。主要包括：財務評價參數(shù)，評價指標。
六、國民經(jīng)濟評價與可研報告對比分析評價。主要包括：國民經(jīng)濟評價參數(shù)，評價指標。
七、其它財務、效益相關分析評價。比如，半導體材料項目單位財務狀況分析與評價。

第三章 半導體材料項目經(jīng)營管理評價
一、經(jīng)營管理機構(gòu)設置與可研報告對比分析評價。
二、人員配備與可研報告對比分析評價。
三、經(jīng)營管理目標。
四、運營（行）管理評價 。

第四章 半導體材料項目資源環(huán)境效益評價
一、半導體材料項目環(huán)境保護合規(guī)性。
二、環(huán)保設施設置情況。半導體材料項目環(huán)境保護設施落實環(huán)境影響報告書及前期設計情況、差異原因。
三、半導體材料項目環(huán)境保護效果、影響及評價。
四、公眾參與調(diào)查與評價。
五、半導體材料項目環(huán)境保護措施建議。
六、環(huán)境影響評價結(jié)論。
七、節(jié)能效果評價。半導體材料項目落實節(jié)能評估報告及能評批復意見情況，差異原因，以及半導體材料項目實際能源利用效率。

第五章 半導體材料項目社會效益評價
一、利益相關者分析
（一）識別利益相關者�？梢苑譃橹苯永�益相關者和間接利益相關者。
（二）分析利益相關者利益構(gòu)成。
（三）分析利益相關者的影響力。
（四）半導體材料項目實際利益相關者與可行性研究對比的差異。
二、社會影響分析
（一）半導體材料項目對所在地居民收入的影響。
（二）半導體材料項目對所在地區(qū)居民生活水平的生活質(zhì)量的影響。
（三）半導體材料項目對所在地區(qū)居民就業(yè)的影響。
（四）半導體材料項目對所在地區(qū)不同利益相關者的影響。
（五）半導體材料項目對所在地區(qū)弱勢群體利益的影響。
（六）半導體材料項目對所在地區(qū)文化、教育、衛(wèi)生的影響。
（七）半導體材料項目對當?shù)鼗�礎設施、社會服務容量和城市化進程的影響。
（八）半導體材料項目對所在地區(qū)少數(shù)民族風俗習慣和宗教的影響。
（九）社會影響后評價結(jié)論。
對上述第（一）至（八）部分，分別分析影響范圍、影響程度、已經(jīng)出現(xiàn)的后果與可行性研究對比的差異等。
三、互適應性分析
（一）不同利益相關者的態(tài)度。
（二）當?shù)厣鐣�組織的態(tài)度。
（三）當?shù)厣鐣�環(huán)境條件。

項目位于迪慶州經(jīng)濟開發(fā)區(qū)老虎箐工業(yè)園區(qū)。迪慶藏族自治州轄香格里拉、德欽及維西傈僳族自治縣三縣。地處青藏高原東南緣，橫斷山脈南段北端，位于東經(jīng)98°20＂～100°19＂，北緯26°52＂～29°16＂ 之間。東與四川木里、麗江寧蒗縣接壤，南界麗江縣及怒江蘭坪、福貢縣，西與西藏左貢、察隅縣及怒江貢山縣毗鄰，被與西藏芒康縣及四川甘孜的巴塘、德榮、鄉(xiāng)城縣交錯接壤。巍峨的怒山山脈、云嶺山脈和中甸大雪山山脈(沙魯里山脈)由北向南縱貫全州，著名的怒江、瀾滄江、金沙江從青藏高原并流南下，在橫斷山脈地區(qū)構(gòu)成聞名于世的地球奇觀——三江并流自然景觀。境內(nèi)最高峰梅里雪山主峰卡瓦格博峰海拔6740 m，最低點維西碧玉河口海拔1486 m，相對高差達5254 m。全州地勢由北向南逐漸降低，平均海拔3380m。

1地理位置 宣化區(qū)位于河北省西北部，地處張家口中心地帶，緊鄰張家口中心城區(qū)和宣化區(qū)，環(huán)京津、連晉蒙，是連接東部經(jīng)濟帶和西部資源區(qū)的重要紐帶，是溝通華北、東北、西北的橋梁。西北以明長城為界與崇禮區(qū)接壤，南與蔚縣、陽原接壤，東鄰赤城縣、下花產(chǎn)業(yè)園。宣化區(qū)具有承接京津產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移和沿海地區(qū)經(jīng)濟輻射的獨特區(qū)位條件。宣化區(qū)距首都北京150公里，西鄰“煤�！贝笸�180公里，北接內(nèi)蒙草原，世稱“神京屏翰”之域。 2氣候條件 宣化區(qū)位于東經(jīng)115°3′北緯40°37′，屬于寒溫帶大陸性季風氣候，夏季炎熱短暫，冬季寒冷漫長，干燥少雨，年最大降雨量675.5mm（1959年），年最小降雨量1984年為238.1mm，年平均降雨量為390.07mm，多風沙，多年平均大風（大于17m/s），日數(shù)為40天左右，其最大風速可達28m/s，其主導風向為西北，年平均風速為3.5 m/s；本區(qū)氣候變化較大，多年（資料系列21年）平均氣溫為7.6℃，最低氣溫為—25.4℃，高溫期多出現(xiàn)在6—7月份，最高氣溫達39.1℃，據(jù)1952—1987年的觀測資料，多年平均水面蒸發(fā)量為1975.4mm，為降雨量的5倍；土壤最大凍土深度為1.32米（1977年3月）。 ①氣溫 年平均氣溫 7.6℃ 一月份平均氣溫 -11.5℃ 七月份平均氣溫 23.1℃ 極端最高氣溫 39.1℃ 極端最低氣溫 -25.8℃ ②降雨量 年平均降雨量：379.1mm（70%集中在6、7、8月） 年最大降雨量：563.9mm（1973年） 年最小降雨量：240mm（1984年） ③蒸發(fā)量 多年平均蒸發(fā)量為1945mm，為多年平均降水量的4.78倍。 ④濕度 由于項目區(qū)氣候干燥，降水量少，日照強，因而相對濕度比較小，年平均濕度51%。 ⑤氣壓：年平均氣壓932.9毫巴 ⑥風速 從風速向看，夏季以東南風為主，冬季以西北風為。年平均風速3.1m/s。 3地形地貌 宣化區(qū)位于東經(jīng)115°3′，北緯40°37′，地處冀西北山間盆地宣化盆地北緣， 地勢西北高、東南低，逐漸傾斜。最高點大煙筒山海拔1023.3米，最低點洋河畔海拔約5535米。平原、河川和山地、丘陵面積各半。城區(qū)地勢平坦，坡度0.1~0.3%。宣化區(qū)境內(nèi)山脈都屬中燕山，呈東南——西北走向。 宣化盆地是一個典型的新生代山間河谷斷裂比陷盆地。盆地第四系分布范圍約385平方公里，匯水面積達2400平方公里，呈西北——東南方向展布，中心部位有洋河自西北向東南穿流而過，盆地四周群山環(huán)抱，南有娘娘山、黃羊山、北有煙筒山，東有尖草頂、大北山等，多為荒山禿嶺，植被條件較差，山峰海拔高程在800—1500米，相對高差200—500米，近東西走向，屬中低山，由四周山地流向盆地中心的河流有柳川河、龍洋河、水泉、口泉沙河等九條，分布著其堆積作用形成的沖洪積扇及山前黃土斜地，該地帶地形較陡，地面波狀起伏，向盆地中心傾斜，一般地面坡降20—25%，盆地中心部位為沖積、沖洪積作用形成的帶狀河谷平原，地形平坦，以5%左右的坡度向洋河傾斜、洋河兩岸由新構(gòu)造運動及洋河的侵蝕作用，發(fā)育有明顯的一級階地和二級臺坎，從地貌上看，盆地內(nèi)范圍較大的沖洪積扇分布于洋河南北兩側(cè)的山前地帶，自西向東洋河北岸有清水河、柳川河、泡沙河沖洪積扇，南晨有塔兒林河、背坡沙河、水泉、口泉河沖洪積扇等。沖洪積扇長軸一般為5—7公里，向洋河傾斜，地表起伏不平，前緣多被洋河侵蝕。切割形成二級臺坎，其深部則與洋河形成交錯沉積。本小區(qū)擬建區(qū)位于洋河北岸的滄沙河沖洪積扇的中部，在地表人工堆積層以下的地基土以第四紀粘性土、粉土、砂卵石瓦層狀沉積層為主，擬建場區(qū)一帶的基巖深在60—80米之間。 4水文條件 宣化盆地的環(huán)境水文地質(zhì)條件，具典型山間盆地的特點。地下水接收大氣降水、河流滲漏和山區(qū)基巖裂隙水補給，由高向低，由盆地邊緣山區(qū)向盆地中部運動，并在地形低洼處以泉的形式溢出地表，在黃陽山一帶由于受上升基巖阻隔，地下水全部溢出地表，并以地表水的形式向下游排泄，地下水的PH值大多為7—8的中性重碳酸鹽型水。 .5地震 根據(jù)《中國地震動參數(shù)區(qū)劃圖（GB18306－2001）》，宣化區(qū)50年超越概率10%的地震裂度為7度。 6交通條件 洋河新區(qū)位于清水河、洋河交匯處，緊鄰明湖湖畔，北至張?zhí)畦F路，西至清水河，南至洋河，東至京包鐵路，總用地面積31．65平方公里；重要交通干線與未來之城的便利性共享，十分便利。
（四）互適應性后評價結(jié)論。
對上述第（一）至（三）部分，分別分析其與半導體材料項目的適應程度、出現(xiàn)的問題、可行性研究中提出的措施是否發(fā)揮作用等。
四、社會穩(wěn)定風險分析
（一）移民安置問題。
（二）民族矛盾、宗教問題。
（三）弱勢群體支持問題。
（四）受損補償問題。
（五）社會風險后評價結(jié)論。
對上述第（一）至（四）部分，分別分析風險的持續(xù)時間、已經(jīng)出現(xiàn)的后果、可行性研究中提出的措施是否發(fā)揮作用等。

第四部分 半導體材料項目目標和可持續(xù)性評價

第一章 半導體材料項目目標評價
一、半導體材料項目的工程建設目標
二、總體及分系統(tǒng)技術(shù)目標
三、總體功能及分系統(tǒng)功能目標
四、投資控制目標
五、經(jīng)濟目標。對經(jīng)濟分析及財務分析主要指標、運營成本、投資效益等是否達到?jīng)Q策目標的評價。
六、半導體材料項目影響目標。半導體材料項目實現(xiàn)的社會經(jīng)濟影響、半導體材料項目對自然資源綜合利用和生態(tài)環(huán)境的影響以及對相關利益群體的影響等是否達到?jīng)Q策目標。

第二章 半導體材料項目可持續(xù)性評價
一、半導體材料項目的經(jīng)濟效益。主要包括：半導體材料項目全生命周期的經(jīng)濟效益，半導體材料項目的間接經(jīng)濟效益
二、半導體材料項目資源利用情況。
（一）半導體材料項目建設期資源利用情況
（二）半導體材料項目運營（行）期資源利用情況。主要包括：半導體材料項目運營（行）所需資源，半導體材料項目運營（行）產(chǎn)生的廢棄物處理和利用情況，半導體材料項目報廢后資源的再利用情況。
三、半導體材料項目的可改造性。主要包括：改造的經(jīng)濟可能性和技術(shù)可能性。
四、半導體材料項目環(huán)境影響。主要包括：對自然環(huán)境的影響，對社會環(huán)境的影響，對生態(tài)環(huán)境的影響。
五、半導體材料項目科技進步性。主要包括：半導體材料項目設計的先進性，技術(shù)的先進性。
六、半導體材料項目的可維護性。

第五部分 半導體材料項目后評價結(jié)論和主要經(jīng)驗教訓

第六部分 對策建議

1、東方電氣集團東汽投資發(fā)展有限公司

a、 企業(yè)簡介
b、公司主要產(chǎn)品
c、公司經(jīng)營情況
d、企業(yè)主要經(jīng)濟指標預測
e、企業(yè)競爭力分析
f、企業(yè)行業(yè)地位分析
g、企業(yè)運營能力分析
h、企業(yè)市場份額分析
i、企業(yè)成長能力分析
j、企業(yè)未來發(fā)展趨勢


2、洛陽鴻泰半導體有限公司

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b、公司主要產(chǎn)品
c、公司經(jīng)營情況
d、企業(yè)主要經(jīng)濟指標預測
e、企業(yè)競爭力分析
f、企業(yè)行業(yè)地位分析
g、企業(yè)運營能力分析
h、企業(yè)市場份額分析
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j、企業(yè)未來發(fā)展趨勢


3、洛陽晶奧電子材料有限公司

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c、公司經(jīng)營情況
d、企業(yè)主要經(jīng)濟指標預測
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g、企業(yè)運營能力分析
h、企業(yè)市場份額分析
i、企業(yè)成長能力分析
j、企業(yè)未來發(fā)展趨勢


4、上海晶揚電子科技有限公司

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g、企業(yè)運營能力分析
h、企業(yè)市場份額分析
i、企業(yè)成長能力分析
j、企業(yè)未來發(fā)展趨勢


5、北京中科鎵英半導體有限公司

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6、東方電氣集團東汽投資發(fā)展有限公司

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7、洛陽鴻泰半導體有限公司

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8、洛陽晶奧電子材料有限公司

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9、上海晶揚電子科技有限公司

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10、東方電氣集團東汽投資發(fā)展有限公司

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j、企業(yè)未來發(fā)展趨勢


11、上海農(nóng)怡電子有限公司

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e、企業(yè)競爭力分析
f、企業(yè)行業(yè)地位分析
g、企業(yè)運營能力分析
h、企業(yè)市場份額分析
i、企業(yè)成長能力分析
j、企業(yè)未來發(fā)展趨勢


12、北京博宇半導體工藝器皿技術(shù)有限公司

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c、公司經(jīng)營情況
d、企業(yè)主要經(jīng)濟指標預測
e、企業(yè)競爭力分析
f、企業(yè)行業(yè)地位分析
g、企業(yè)運營能力分析
h、企業(yè)市場份額分析
i、企業(yè)成長能力分析
j、企業(yè)未來發(fā)展趨勢


13、北京中科鎵英半導體有限公司

a、 企業(yè)簡介
b、公司主要產(chǎn)品
c、公司經(jīng)營情況
d、企業(yè)主要經(jīng)濟指標預測
e、企業(yè)競爭力分析
f、企業(yè)行業(yè)地位分析
g、企業(yè)運營能力分析
h、企業(yè)市場份額分析
i、企業(yè)成長能力分析
j、企業(yè)未來發(fā)展趨勢


14、中國電子科技集團公司第四十六研究所

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g、企業(yè)運營能力分析
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i、企業(yè)成長能力分析
j、企業(yè)未來發(fā)展趨勢


15、東方電氣集團東汽投資發(fā)展有限公司

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d、企業(yè)主要經(jīng)濟指標預測
e、企業(yè)競爭力分析
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16、北京博宇半導體工藝器皿技術(shù)有限公司

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g、企業(yè)運營能力分析
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17、北京中科鎵英半導體有限公司

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